半导体发光二极管LED和半导体激光器LD的构造、就

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所属分类:半导体激光器
可选中1个或多个下面的关键词,搜索相关资料。也可直接点搜索资料搜索整个问题。 LD发射功率较高、光谱较窄、直接调制带宽较宽,而LED发射功率较小、光谱较宽、直接调制 激光器
半导体发光二极管LED和半导体激光器LD的构造、就

半导体发光二极管LED和半导体激光器LD的构造、就

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半导体发光二极管LED和半导体激光器LD的构造、就

  LD发射功率较高、光谱较窄、直接调制带宽较宽,而LED发射功率较小、光谱较宽、直接调制

  激光器的工作存在与普通光源不同之处在于,它同时需要 激光工作物质(这在半导体激光二极管LD中,激光工作物质即为半导体材料), 泵浦(即外加的能量源),谐振腔。

  LD和LED 的工作时,其体系结构中都存在半导体工作物质和泵浦源,唯一不同的是,LD在其外层通过自然解理形成一重谐振腔,该谐振腔有一定的发光门限条件(即阈值条件) 当达到这个条件是,激光器才开始粒子数反转受激发光。 当LD的驱动还没达到阈值条件时,它的发光机理其实和LED是没有明显区别的。

半导体发光二极管LED和半导体激光器LD的构造、就

  LD发射功率较高、光谱较窄、直接调制带宽较宽,而LED发射功率较小、光谱较宽、直接调制带宽较窄。