什么是氮化镓?氮化镓何故霸占C位?

  • A+
所属分类:固体激光器
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽
什么是氮化镓?氮化镓何故霸占C位?

什么是氮化镓?氮化镓何故霸占C位?

  氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的中,例如氮化镓可以用在紫光的,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。

  氮化镓自出生以来南征北战,无论是PK碳化硅(SiC)还是吊打砷化镓(GaAs),作为第三代半导体材料的GaN优势凸显。由于禁带宽度大、导热率高,GaN器件可在200℃以上的高温下工作,能够承载更高的能量密度,可靠性更高;其较大的禁带宽度和绝缘破坏电场,使得器件导通电阻减少,有利于提升器件整体的能效;且电子饱和速度快,以及较高的载流子迁移率,可让器件高速地工作。

什么是氮化镓?氮化镓何故霸占C位?

  (1)GaN在成本控制方面显示出了更强的潜力。目前主流的GaN技术厂商都在研发以Si为衬底的GaN的器件,来替代昂贵的SiC衬底。有分析预测,到2019年GaNMOSFET的成本将与传统的Si器件相当,并且GaN技术对于供应商来说是一个非常有吸引力的市场机会,它可以向它们的客户提供目前半导体工艺材料可能无法企及的性能。

  (2)再者,由于GaN器件是个平面器件,与现有的Si半导体工艺兼容性强,这使其更容易与其他半导体器件集成。

  Yole Developpement功率电子暨化合物半导体事业单位经理PierricGueguen认为,碳化硅主要适用于600V以上的高功率应用,氮化镓则适用于200~600V中功率应用。根据Yole的预测,到2020年氮化镓将进一步往600~900V发展,届时GaN势必会与碳化硅产生竞争关系。

  2014年,日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获的当年的诺贝尔物理奖。其中氮化镓正是推动了蓝光LED向前发展的重要新型材料。至此,氮化镓在确立了其在光电领域的重要地位。

  除了LED,氮化镓也被使用到了功率半导体与射频器件上。基于氮化镓的功率芯片正在市场站稳脚跟。氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步,使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。

什么是氮化镓?氮化镓何故霸占C位?

  最近几年,我国正在大力发展集成电路产业,第三代半导体作为下一代电子产品的重要材料和元件,自然也受到了重点关注。

  2015年5月,国务院印发了《中国制造2025》。其中,4次提到了以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器件。

  2016.09科技部立项国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项---面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用”, 该项目旨在针对5G通信需求,建立开放的工艺代工线,实现从高效率器件到超宽带电路设计等系列自主可控的GaN基射频器件和电路成套技术;建立“产学研用”协同创新产业链,实现GaN器件与电路在通信系统的应用,推动我国第三代半导体在射频功率领域的可持续发展。

  2018年7月,国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布。路线图主要从衬底/外延/器件、封装/模块、SiC应用、GaN应用等四个方面展开论述,提出了中国发展第三代半导体电力电子技术的路径建议和对未来产业发展的预测。

  到目前为止,国内已有四条4/6英寸SiC生产/中试线和三条GaN生产/中试线相继投入使用,并在建多个与第三代半导体相关的研发中试平台。

  在GaN衬底方面,国内已经小批量生产2英寸衬底,具备4英寸衬底生产能力,并开发出6英寸衬底样品。国内可提供相关产品的企业有:纳维科技、中镓半导体。

  根据RESEARCH AND MARKETS发布的“氮化镓半导体器件市场2023年全球预测”称,氮化镓器件市场预计将从2016年的165亿美元,增长至2023年的224.7亿美元,年复合增长率为4.51%。GaN产业链包括上游的材料(衬底和外延)、中游的器件和模组、下游的系统和应用。在国内GaN逐步扩大的市场带动下,上、中、下游各环节均开始出现大批厂商。

  2007年苏州纳维科技有限公司成立,成为我国首家具备氮化镓晶片生产能力的公司。经过10年努力,实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,现在是国内唯一一家、国际上少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位。公司氮化镓产品性能综合指标国际领先,未来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势。

  东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月,公司创造性采用MOCVD技术、HVPE技术相结合的方法,研发、生产产品包括:氮化镓(GaN)半导体衬底材料,GaN/AI2O3复合衬底、GaN单晶衬底及氢化物气相外延设备(HVPE)等,主要应用于MiniLED& MicroLED、车灯、激光器、功率器件、射频器件。

  公司已建成国内首家专业的氮化镓(GaN)衬底材料生产线微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。

  苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月,2014年底,晶湛半导体在全球首家发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品,经有关下游客户验证,该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能,并填补了国内乃至世界氮化镓产业的空白。截至目前,晶湛半导体已完成B轮融资,用于扩大生产规模,150mm的 GaN-on-Si 外延片的月产能达1万片。

  苏州精湛致力于为电子电力、微波射频、微显示器件应用领域提供高品质氮化镓材料。

  2018 年,耐威科技先后投资设立了聚能晶源、青岛聚能创芯微电子有限公司,两家控股子公司业务均与氮化镓(GaN)相关:聚能创芯主要从事功率与微波器件,尤其是氮化镓(GaN)功率与微波器件的设计、开发;聚能晶源主要从事半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产。

  2018年12月聚能晶源成功研制了 8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆。该型外延晶圆在实现了 650V/700V 高耐压能力的同时,保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性,可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

  北京世纪金光半导体成立于2010年,公司经过多年的发展,公司在SiC、GaN领域的单晶、外延、器件和模块都有涉及。已成为集半导体单品材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的“双创型”高新技术产业。

  东莞市中晶半导体科技有限公司成立于2010年,公司以北京大学为技术依托,引进海内外优秀的产学研一体化团队,技术涵盖Mini/MicroLED、器件等核心领域。

  中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑,以GaN衬底为基础,重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术,并向新型显示模组方向延展;同时,中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础,孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术,并进行全球产业布局。

  英诺赛科(珠海)科技有限公司是2015年12月由海归团队发起,并集合了数十名国内外精英联合创办的第三代半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。公司的主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件,产品设计及性能均达到国际先进水平。

  2017年11月英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产,成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线。

  三安集成成立于2014年,其母公司三安光电是一家LED外延芯片龙头企业,三安集成是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台,具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力,拥有大规模、先进制程能力的MOCVD 外延生长制造线。

  苏州能讯高能半导体有限公司是由海外归国人员创办的高新技术企业,能讯半导体采用整合设计与制造(IDM)的模式,自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。目前公司拥有专利280项,在国际一流团队的带领下,能讯已经拥有全套自主知识产权的氮化镓电子器件设计、制造技术。

  江苏能华微电子科技发展有限公司成立于2010年6月,是由国家“千人计划”专家朱廷刚博士创办,建设8条6英寸以上的外延片生产线和一条完整的功率器件工艺生产线,主要生产以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆及其功率器件、芯片和模块。

  2016年,江苏能华参与了国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项,进行GaN基新型电力电子器件关键技术项目。

  江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月,在第三代半导体行业拥有雄厚的专家资源、优秀的人才队伍、长期的技术积累和丰富的产业化经验。

  华功半导体的技术团队以北京大学、中山大学以及合作的高校产业化企业为核心,从2012年开始合作推动硅基氮化镓功率电子产业化,目前已攻克了相关材料与器件的产业化关键技术。

  大连芯冠科技有限公司成立于2016年3月,是一家由海外归国团队创立的半导体国家级高新技术企业。采用了整合设计与制造(IDM)的商业模式,开展以氮化镓为代表的第三代半导体外延材料和电子器件的研发与产业化。

  公司拥有国际先进的德国爱思强MOCVD外延炉及外延表征设备、6英寸化合物半导体芯片生产线、晶圆在片检测系统、可靠性测试系统和应用开发系统。在电力电子领域,公司已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片的量产,并发布了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品,主要应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。在微波射频领域,公司已进行硅基氮化镓外延材料的开发,射频芯片的研发与产业化准备工作亦已展开,产品定位为10GHz以下的射频通讯和射频能量市场。

  苏州捷芯威半导体有限公司是国内第一家专注于氮化镓电力电子器件研发和制造的高科技企业,由海外归国人员创办于苏州工业园区,拥有专业的销售、研发、技术团队。自主研发世界上第一款氮化镓器件,单管击穿电压达2000V;拥有多款硅基氮化镓电力电子器件、电压等级从200V到600V,并率先在国内实现了600V氮化镓增强型高压开关器件。同时开发了多款基于GaN技术的应用电路,例如500W的PFC电路、500W的DC-DC、DC-AC和AC-DC转换电路、双脉冲测试电路、无线电能传输电路等。产品涉及IT、消费电子、电机控制、电动汽车、可再生资源、智能电网等应用领域。

  2017年12月,华润微电子完成对中航(重庆)微电子有限公司的收购,拥有8英寸硅基氮化镓生产线A GaN功率器件产品,用于电源管理。

  华润微规划建设的化合物半导体项目,判断生产线主要是GaN工艺。该项目将分两期实施,其中一期项目投资20亿元,二期投资30亿元。

  2017年三季度士兰微打通了一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。打通之后士兰微会进一步加强这方面的技术研发,公司预计在未来1-2年内会有产品突破,能够有新产品尽快推到市场上。

  2018年10月,杭州士兰微电子股份有限公司厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线月,士兰微电子与厦门市海沧区人民政府签署了《战略合作框架协议》。士兰微电子公司与厦门半导体投资集团有限公司共同投资220亿元人民币,在厦门规划建设两条12英寸90~65nm的特色工艺芯片(功率半导体芯片及MEMS传感器)生产线英寸兼容先进化合物半导体器件(第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片)生产线。

  三安光电股份有限公司成立于2000年11月,于2008年7月在上海证券交易所挂牌上市。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售,产品性能指标居国际先进水平。

  公司凭借强大的企业实力,继2014年扩大LED外延芯片研发与制造产业化规模、同时投资集成电路产业,建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目之后, 2018年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区,斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC材料及器件、特种封装等产业。

  中蕊光电公司在光电装备领域拥有多项领先优势,其中:公司掌握着光电半导体核心器件、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第三代半导体器件制备技术的核心科技,技术指标和装备质量达到国际同行业领先水平;

  依据公司的中长期发展规划,公司将夯实现有技术基础,充分发挥核心技术的国际领先性,迅速拓展装备应用领域,形成以GaN半导体材料科研基地和光电装备生产基地,逐步推进形成达百亿产值的GaN半导体产业集群。

  山东聚芯光电科技有限公司成立于2016年3月,由山东成林光电技术有限责任公司和内蒙古蒙西高新技术集团有限公司共同出资设立,专业从事LED芯片、氮化镓功率器件、太阳能LED灯具的研发生产销售与技术服务。

  公司拥有授权发明专利四项、授权实用新型专利六项,建有现代化的研发实验室和研发生产基地,拥有较强的科技研发实力和技术创新能力,先后获评山东省科技型中小微企业、东营市科技型企业、国家科技型中小企业、东营市知识产权示范企业、国家级高新技术企业。

  晶能光电(江西)有限公司成立于2006年,晶能光电是硅衬底LED技术的最早实践者,并在 2012 年 6 月开始量产硅衬底氮化镓LED芯片

  作为全球硅衬底LED技术的领导者,晶能光电用短短十年时间将一项实验室技术发展成为全球第三条蓝光LED技术路线,完成全球硅衬底LED专利布局。目前,围绕该项目已申请专利330多项,已授权专利 147项,其中授权国际专利47项。这些专利将是构建中国LED产业知识产权池的基石,对我国的LED产业格局和产业安全将产生重大的影响。

  海特高新控股子公司海威华芯主要从事第二代/第三代化合物半导体集成电路芯片的晶圆代工业务,产品主要面向5G、雷达 、新能源、物联网等高端芯片市场。海威华芯是国内首家提供六英寸砷化镓/氮化镓微波集成电(GaAs/GaN MMIC)的纯晶圆代工服务的制造企业。公司的氮化镓已成功突破6英寸GaN晶圆键合技术。

  海威华芯填补了国内空白,打破了国外对中国高端射频芯片的封锁,成为国家高端芯片供应安全的重要保障。

  氮化镓的难度比外界想象的大很多,国内氮化镓材料的发展难题主要有以下几点:

  一是在技术上,宽禁带功率半导体面临的技术难题很多,如衬底材料的完整性、外延层及欧姆接触的质量、工艺稳定性、器件可靠性以及成本控制等,宽禁带功率半导体产业化的难度比外界想象的要大很多。

  二是在生态环境假设上。5G移动通信、电动汽车等是宽禁带半导体产业最具有爆发性增长潜力的应用领域,国内在产业生态的成熟度上与国外的差距还比较明显,落后程度更甚于技术层面的落后程度。产业链上下游协同不足,尚未解决材料“能用-可用-好用”发展过程中的问题和障碍。

  虽然目前我国在一些GaN领域取得了关键性突破,但是与国际领先水平相比,我国在第三代半导体衬底、外延材料、器件的整体技术水平落后3年左右。在GaN领域缺少原始创新的专利,仍需要积极引进国外优秀技术人才,多方面借鉴国外发展经验,逐步提升国内技术水平。

  GaN作为新一代半导体材料,对于芯片和器件的制备,半导体行业特点突出,是否具备高良率,是否具备商业化价值是衡量企业的另一关键要素。国内要想发展GaN,就要依靠自主研发,实现技术突破。当前我国第3代半导体材料研发与国外差距不大,如果通过产业链协同创新,完全有可能实现弯道超车,打破半导体产业受制于人的被动局面。

  文章出处:【微信号:wc_ysj,微信公众号:旺材芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  魅族5G手机或将采用120Hz全视屏打造,标配512GB和顶尖骁龙芯片

  有消息显示,小米未来将可能建造自己的工厂,用来生产智能手机。这意味着小米新机供货不足的情况,有望得到....

  11月26日消息 今日据3C证书查询官方网站显示,又有两款小米5G新机获3C认证,加上上午曝光的两款....

  国内对于人工智能技术在石化领域的应用,以及石化产业的智能化、信息化升级都在快速推进。

  realme首款5G手机:realme线G芯片发布在即,各大手机厂商也纷纷对于即将到来的5G机型进行官宣,比如realme也正式官....

  realme杭州首家线下服务直营店设立,未来全国服务网点将增至300家

  2019年,不仅是5G的元年,同时也是市场大洗牌的一年,各大厂商已经很少将重心放在服务上。

  联发科在今天发布了首款5G旗舰机手机SOC芯片“天玑1000”,在安兔兔的跑分中高居第一名,在发布会....

  很多人大概不记得 MTK 芯片曾经在性能调校上还能力压高通一头,带着魅族 MX4 成为安兔兔跑分的榜....

  在5G助力下,未来世界一定会趋于3D化,而三维世界复刻将是一个大的未来趋势。

  OPPO Reno3系列手机曝光,可通过使用情况智能切换5G、4G网络

  今天上午,微博上曝光了关于OPPO Reno3系列某款手机的5G信号录屏素材,通过微博截图我们可以清....

  在5G来临,5G下的VR设备不再止步于简单的顾客用户的游戏视觉效果,也会慢慢的进入农业,医疗业,服务....

  11月26日,荣耀在北京发布荣耀V30系列。荣耀总裁赵明在会上透露,今后荣耀所有新品手机,除Play....

  数据显示,截至9月底,广东全省建成5G基站21473座,其中广州建成10626座,广州天河区已建成5....

  从TV市场方面看,群智咨询发布的数据显示,前三季度全球TV出货量为1.69亿台,同比小幅下滑0.3%....

  11月26日,荣耀V30系列及5G智慧全场景发布会在北京正式召开。这款新机在发布的第一时间便圈粉无数....

  此前vivo官方曾表示vivo X30系列最高可实现60倍变焦,可见超远距离拍摄也会是vivo X3....

  可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。不....

  业内首个基于射线跟踪信道模型及线G模拟系统:高铁环境在4G通信时代是运营商网络覆盖的重....

  该保护壳为荣耀V30系列量身打造,孔位精准,可与手机紧密贴合,有巨鲨灰、猎豹黄、傲娇、盐甜等多种款式....

  首届世界5G大会在京开幕。作为网络安全的领军企业,360携网络安全大脑亮相此次大会,为5G时代的工业....

  对于5G面对的低时延、高可靠需求,越贴近用户做出决策越好,这就引入了移动边缘计算。

  目前,从政治、经济、政策与环境等多方面角度综合来看,5G行业各细分的产业链机会点相对以往来说都明显提....

  近日,荣耀旗下首款5G旗舰荣耀V30系列发布,这是业内首款全系5G双模手机,起售价仅3299元,也是....

  人工智能和5G都面临着网络安全脆弱性的挑战,如何应对5G网络安全关乎各行各业的发展。中国网络空间安全....

  赵勇指出,未来,手机将是折叠屏应用的主战场。赵勇将5G对显示屏的影响总结为四个要点:一是海量信息,二....

  在11月26日的新品发布会上,荣耀给我们带来了V30、V30 PRO两款手机,售价3299元起,是目....

  荣耀中国市场销售目标超额完成,线下销量已经超过线系列芯片,同时支持SA/ NSA,....

  因仍面临保障和技术阻碍,5G 目前还未至鼎盛时期,但在全球各大城市已陆续上线

  元器件作为电子信息产品的最重要的组成部分,所以它也不会因为暂时的一点点小的困难,而出现大面积的衰退。....

  根据此前的资料显示,三星Exynos 980采用了尖端8纳米FinFET技术,内置两颗2.2GHz的....

  观众预登记将于11月29日截止,现在预先登记即可免费入场及参与“智造会议”,更可参与现场“VR动感赛....

  在IoT连接技术开启无限可能性的同时,它也提升了使用者对连网经验的更高期望。

  2019“华秋”第五届中国硬件创新大赛半导体及集成电路专场路演圆满落幕

  点燃硬创引擎,加速创新发展。10月19日下午,由深圳市福田区科技创新局指导, 深圳华秋电子有限公司 ....

  在新的通讯时代,新的治疗设备将依赖于5G的超可靠、低时延通信和时间同步功能,以支持准确和及时的信息共....

  5G和AI作为能够改变时代的颠覆性技术,5G大宽带、高速率、低时延的特点,为AI应用场景的落地提供了....

  5G技术将给银行变革带来更强劲的驱动,加快银行业进入4.0时代,不仅助力改造硬件核心系统,而且能够进....

  根据《实施意见》,山东省计划到2020年,实现设区市城区有重点应用需求的区域5G网络连续覆盖,在全国....

  据路透报道,法国经济和财政部长属下的电信事务国务秘书Agnes Pannier-Runacher在2....

  我国推进携号转网进入实质阶段。根据工信部部署,携号转网工作推进分为三个阶段:9月20日前,天津市、海....

  郭浩然介绍,我国卫星通信事业始于1975年的“331”工程,并于1983年11月29日在北京完成了卫....

  徐菲表示,我国已完成5G中低频段频谱分配,并向中国移动、中国电信、中国联通、中国广电发放了5G商用牌....

  Eduardo Ricotta说,爱立信初步将斥资2亿雷亚尔在其位于圣保罗附近的工业城市圣若泽杜斯坎....

  一段时间以来,联发科专注于5G SoC芯片的研发,并计划在高端5G设备领域替代高通Snapdrago....

  5G的毫米波频谱之争终于可以暂告一段落。ITU最终为5G毫米波频段“扩容”,具体包括24.25-27....

  O-RAN联盟成立的目标是推动无线设备实现接口的开放,通过引入人工智能等新技术,积极研究开源、白盒参....

  达闼科技携手中国移动雄安研究院、中国移动北京公司、航天长峰等,打造的《北京2022冬奥会5G+综合安....

  报告显示,从当前动能来看,5G获得采用的速度将比长期演进技术(LTE)快很多。到2025年时,5G用....

  尹芹指出,2020年线K、VR内容流量也将随着业务探索成倍增加,5G技术的应用....

  模块化,按最初的定义是把两个或两个以上的电力半导体芯片按一定的电路结构相联结,用RTV、弹性硅凝胶、环氧树脂等保护材料,...

  传感器技术是现代测量和自动化系统的重要技术之一,从宇宙开发到海底探秘,从生产的过程控制到现代文明生活,几乎每一项技术都离不开...

  A new standard for precise component, semiconductor and material measurements...

  你好, 首先,我对PSoC和CasSoC的世界完全陌生,所以请说慢一点,清楚一点。;) 我有一个先锋开发工具包与PSoC 4模块...

  Provides information about measurement and analysis using 4155C/4156C....

  一个半导体(semiconductor)闸流管通常具有3个电极:一个阳极,一个阴极和一个门(控制电极)。 ...

  LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz

  低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

  TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

  TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

  TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

  TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...

  LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

  TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

  TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V< V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

  INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

  INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

  一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

  LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线针TSSOP封装 XOR-tree测试模式

  Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

  LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度

  针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入

  用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

  AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...

  OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

  TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

  TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

  这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

  严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...